Samsung beginnt mit der Herstellung von V-NAND-Speicher mit 33 % höherer Leistung und 10 % höherer Energieeffizienz

Samsung hat den Beginn der Massenproduktion von V-NAND-Flash-Speichern angekündigt, die 33 % leistungsfähiger sind als die derzeit erhältlichen. TCL V-NAND, das noch in diesem Monat auf den Markt kommt, wird eine Kapazität von 1 Tbit haben, während QLC V-NAND für die zweite Hälfte des Jahres 2024 angekündigt ist.

Die Bitdichte des V-NAND der Generation 9 ist etwa 50 % höher als die des V-NAND der Generation 9. Erreicht wird dies durch neue Technologien zur Reduzierung von Zellinterferenzen, zur Verlängerung der Zelllebensdauer und zur Verringerung der Zellfläche durch die Channel Hole Etching-Technologie.

V-NAND 9 verfügt außerdem über eine NAND Toggle 5.1-Schnittstelle der neuen Generation mit bis zu 3,2 IOPS, das sind 33 % mehr als bei der vorherigen Generation. Die Gesamtenergieeffizienz wurde um 10 % erhöht.