Samsung hat angekündigt, mit der Massenproduktion seines V9 QLC NAND-Flash-Speichers der 9. Generation zu beginnen, nachdem bereits die TLC der 9. Das Unternehmen verspricht eine höhere Geschwindigkeit, erschwingliche Preise und eine um bis zu 86% höhere Speicherdichte als bei der Vorgängergeneration. Die Speicherdichte des V9 QLC wird dank der Can Hole Etching-Technologie höher sein, die dank des Dual-Stack-Designs eine Rekordzahl (280) von Schichten ermöglicht.
Diese Speichergeneration nutzt auch die Technologien Designed Mold und Predictive Program, um die Speicherkapazität um 20% und die I/O-Geschwindigkeit um 60% zu erhöhen. Eine weitere Besonderheit der neuen Speicher Reihe ist der reduzierte Stromverbrauch, der durch die Low-Power-Design-Technologie ermöglicht wird, die den Stromverbrauch beim Lesen von Daten um 30% und beim Schreiben von Daten um 50% reduziert.
Samsung beabsichtigt, Flash-Speicher in einer Vielzahl von Produkten einzusetzen, darunter Consumer-SSDs, Universal Flash Storage (UFS) für mobile Geräte und sogar Server-SSDs für Cloud-Lösungen, was die Vielseitigkeit des neuen Laufwerks beweist.
Was die Konkurrenten betrifft, so weist die neue Speichergeneration von Samsung eine um 50 % bzw. 30 % höhere Dichte und Leistung auf (im Vergleich zu seinem nächsten Konkurrenten).
Das Hauptmerkmal des Flash-Speichers von Samsung ist jedoch, dass er im Vergleich zum Rest der Produktpalette viel weniger kostet. Dies ist den technischen Verbesserungen und der verbesserten Effizienz zu verdanken, die es dem V9 QLC ermöglichen, eine Leistung zu erzielen, die mit der von TLC-Speichern (Triple-Level Cell) vergleichbar ist.
